エレクトロニクス関連なら翔星にお任せ下さい。本装置は昇華法による高周波誘導加熱方式の高温単結晶バルク成長装置です。

高周波応用装置(高真空)

エレクトロニクス関連

エレクトロニクス関連設備製造、販売

35w実験装置 本装置は昇華法による高温単結晶バルク成長装置です。高周波誘導加熱方式により短時間で2400℃の加熱を実現し、竹内電機㈱独自開発のマルチゾーン温度コントローラーを内蔵することにより粉体成形品等の加熱温度勾配を電気的に制御することが可能となりました。 また、成長に必要な各プロセスは、シーケンサー制御により自動的に処理され、カラーグラフィック画面でモニターできます。また、必要に応じタッチパネルによる操作も可能です。

加熱温度 2400℃(MAX3000℃)
ルツボ寸法 2~6インチルツボまで取付可能
回転速度 1~50rpm
ルツボ上下移動 電動方式
加熱コイル上下移動 上下 100mm(±50)設定温度による自動昇降
到達真空度 1×10-6 Torr台(容器のみ無負荷、常温時)
電源 3相210V 50kVA
冷却水 165リットル / min
設置面積 2120幅×2330奥×2600高さ

35kw型 実験装置システム

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