サファイア,シリコン,SiC,GaN等の原料供給をおこなっております。微細加工まであらゆる各種精密加工もおこなっておりますのでどうぞご相談ください。

半導体用基板、LEDチップ用基板

各種結晶

こんなことでお困りではありませんか??

当社の製品で下記の悩みが一挙に解決します。
ご不明な点があればお気軽にお問い合わせ下さい。

  • 原材量激減で世界中で取合になっており、原材料を確保できない
  • 基板品質にバラツキ大きい(品質安定に問題あり)
  • インゴットからウエハへの精密加工先の確保
  • インゴットやウエハーの供給を安価にしたい
取扱い各種結晶

シリコン

供給

Φ2インチ~Φ6インチまでのパワーデバイス用プライムウェハーの製造を中心に、構造用部品材料としてΦ450mmまでの単結晶大口径シリコンインゴット・プレートの供給しております。

加工

スライス、ラッピング、エッチング、ポッリシングからマシニング加工、微細加工まであらゆる各種精密加工をおこなっております。どうぞご相談ください。

供給可能な素材

インゴット・ウェハー Ingot・Wafer

供給可能なシリコン素材

シリコン特性データ

シリコンエピタキシャルウェハー Silicon Epitaxal Wafer

Φ8inchまでの各種Si Epi wafer を供給いたします。
Maximum size : ~Φ8 inch.
Silicon Epitaxial Wafer Specifications

ダミーウェハー Dummy Wafer

SiC

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍(3.26eV)広く、熱伝導率も3倍以上(4.9W/cm・k)、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍(2.8MV/cm)という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。 用途では、
パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード(SBD)等に適しております。
また、これら半導体の他、発光ダイオード(LED)の基板としても使用されております。

供給可能な素材

素材

SiC特性データ physical properties

ケイ素ウェハー 詳細 SiC Wafer Specatuon

6H N-type Silicon carbide

4H N-type Silicon carbide

6H Semi-insulating (V compensated doped) Silicon carbide

サファイア

単結晶サファイアは、高純度のアルミナ(Al2O3ウェハー)を人工的に成長(単結晶化)させた結晶体です。
キロプロス、HEM、CZ他、各種製法のインゴット及びウェハーを、お客様の用途、スペックに合わせて 素材の提案から精密加工までを行っております。
用途としては、
各種機構用部品にも幅広く使用されています。

供給

GaNエピ成長用基板として2,4,6インチ各サイズのウェハーを供給いたします。 インゴットでの供給も可能です。お気軽にご相談下さい。

加工

スライス、ラッピング、エッチング、ポッリシングからマシニング加工、極小加工、微細加工まで各種精密加工を承ります。どうぞご相談ください。

特徴

  • モース硬度「9」

    ダイヤモンドの次に高いモース硬度。
    耐久性に優れいます。

  • 安価に量産(大型単結晶)

    大型単結晶なら安価で量産が可能に

  • 石英以上の高融解点(2.053℃)

    石英以上の高融解点(2.053℃)と耐プラズマ特性、さらに光学的・化学的・電気的にも優れた特性を併せ持つ

  • 耐食性など様々な耐性がある

    硬さ、熱特性、化学的安定性、光透過性などの特徴から幅広い分野で使われています。

供給可能な素材

インゴット・ウェハー Ingot・Wafer

供給可能なサファイア素材

サファイア特性データ

エピレディーウェハー Epi Ready Wafer

GaNエピ成長用基板として2,4,6インチ各サイズのウェハーを供給いたします。 インゴットでの供給も可能です。お気軽にご相談下さい。 Standard Spec of Sap phire Wafer for LED

ガリウムナイトライド (GaN)

GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)は、シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍(3.42eV)広く、絶縁破壊電圧も約10倍(3.0MV/cm)という特性を持っており、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。 SiCとの比較では、熱伝導率がSiCの方が約3倍高く、それ以外の物性データ(バンドギャップ、電子移動度、絶縁破壊電圧、飽和ドリフト速度)は全てGaNの方が10%程度勝っております。
よって、高温動作環境では、SiCに分が有りますが、電力変換容量、動作周波数の高い領域での使用におきましては、GaNの方が有利と言えます。
用途としては、
主に半導体デバイスとして使用されます

特徴

  • 熱伝導率が大きく放熱性に優れる

    バンドギャップがシリコンの約3 倍広いため、熱伝導率が大きく放熱性が優れています

  • 電子の飽和速度が大きい

    飽和電子速度が大きいと電子の動きがスムーズになるので効率が上がります

  • 高温での動作が可能

    バンドギャップがシリコンの約3 倍広いため、高温においても動作可能にできます。

  • 絶縁破壊電圧が高い

    シリコンと比べると、絶縁破壊電圧も約10倍(3.0MV/cm)という特性を持っており
    Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。

供給可能な素材

GaNウェハー 詳細 GaN Wafer Specification

φ2インチ GaN自立基板
2“Free-standing GaN Substrates

カスタムサイズ GaN自立基板
Customized size Square Free-standing GaN Substrates

無極性GaN自立基板(a面,m面)
Non-Polar Freestanding GaN Substrates(a-plane and m-plane)

φ2インチ GaNテンプレート
2“GaN Templates

当社での徹底した購入サポート

当社では独自のルートにより他社が追従できない良質の格安加工製品の提供を可能に。
自信をもって良い製品をより安価で提供させていただきます。

3つのサポート

1)図面が無くても不良品があれば修復可能でございます。
2)迅速にお客様へ直接出向き、お客様の要望に応じた材料選択させていただきます。
3)お客様の仕様に応じたエンジニアリングアドバイスをさせていただきます。

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